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MT47H64M8CF-25E IT:G详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：2.5ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：-40°C ~ 95°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（8x10）; 包装：托盘

MT47H64M8CF-25E IT:G TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：2.5ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：-40°C ~ 95°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（8x10）; 包装：带卷 (TR)

MT47H64M8CF-25E IT:G TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：2.5ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：-40°C ~ 95°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（8x10）; 包装：Digi-Reel®

MT47H64M8CF-25E IT:G TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：2.5ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：-40°C ~ 95°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（8x10）; 包装：剪切带 (CT)

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接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16SOIC
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保险丝 Cooper Bussmann 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" FUSE 3/16A 250V T-LAG GLASS
NCX2200GF3,132
线性 - 比较器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC COMPARATOR LOW VOLTAGE 6XSON
HM2P07PDK120N9LF
背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 110POS TYPE A VERT
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OSTYK50421230
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 9.50MM
MT47H64M8JN-25E:G
存储器 Micron Technology Inc 60-TFBGA IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA