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MT46V32M16FN-5B:C详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.5 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：托盘

MT46V32M16FN-5B:C TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.5 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：带卷 (TR)

MT46V32M16FN-5B:F详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.5 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：托盘

MT46V32M16FN-5B:F TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.5 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：带卷 (TR)

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矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions 1812（4532 公制） CONN HEADER .100 SINGL R/A 7POS
PESD5V0L6US,118
TVS - 二极管 NXP Semiconductors 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） DIODE 6FOLD ESD PROTECT 8-SOIC
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电容器 Nichicon 径向，Can - SMD CAP ALUM 330UF 2.5V 20% SMD
PGA-0TA7
配件 Littelfuse Inc 径向，Can - SMD TERMINATION ASSY W/LEADS 12W
PM40-471K
固定式 Bourns Inc. 1812（4532 公制） INDUCTOR CHIP 470UH 10% SMT
PTC08DBAN
矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions 1812（4532 公制） CONN HEADER .100 DUAL R/A 16POS
PESD5V0S1BA,115
TVS - 二极管 NXP Semiconductors SC-76，SOD-323 DIODE BIDIR ESD PROTECT SOD323
PJ-044BH
桶型 - 电源 CUI Inc SC-76，SOD-323 CON PWR JCK 2.5 X 6.5MM VERT