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MT46V32M16BN-75 IT:C详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：7.5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.3 V ~ 2.7 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：托盘

MT46V32M16BN-75 IT:C TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：7.5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.3 V ~ 2.7 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：带卷 (TR)

MT46V32M16BN-75 L:C详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：7.5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.3 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：托盘

MT46V32M16BN-75 L:C TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：7.5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.3 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：带卷 (TR)

MT46V32M16BN-75:C详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：7.5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.3 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：托盘

MT46V32M16BN-75:C TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR SDRAM; 存储容量：512M（32Mx16）; 速度：7.5ns; 接口：并联; 电压_电源：2.3 V ~ 2.7 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-FBGA（10x12.5）; 包装：带卷 (TR)

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