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MSD1819A-RT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：210 @ 2mA，10V

功率_最大：150mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）

包装：剪切带 (CT)

MSD1819A-RT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：210 @ 2mA，10V

功率_最大：150mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）

包装：Digi-Reel®

MSD1819A-RT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：210 @ 2mA，10V

功率_最大：150mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）

包装：带卷 (TR)