MPSW56RLRA 全国供应商、价格、PDF资料

MPSW56RLRA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 10mA，250mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 250mA，1V

功率_最大：1W

频率_转换：50MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体成型引线

供应商设备封装：TO-92

包装：带卷 (TR)

MPSW56RLRAG详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 10mA，250mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 250mA，1V

功率_最大：1W

频率_转换：50MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体成型引线

供应商设备封装：TO-92

包装：带卷 (TR)

MPSW56RLRAG详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 10mA，250mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 250mA，1V

功率_最大：1W

频率_转换：50MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体成型引线

供应商设备封装：TO-92

包装：Digi-Reel®

MPSW56RLRAG详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 10mA，250mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 250mA，1V

功率_最大：1W

频率_转换：50MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体成型引线

供应商设备封装：TO-92

包装：剪切带 (CT)