MPSA29详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:125MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
MPSA29详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN DARL BIPO 100V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
MPSA29_D26Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 100V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:125MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
MPSA29_D27Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 100V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:125MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
MPSA29_D75Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 100V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:125MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
MPSA29G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN DARL BIPO 100V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 水平式,4 PC 板 CHOKE COM MODE 0.77MH 4.70A SMD
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc TO-220-3(SMT)标片 SIDACTOR 3CHP 200V 250A TO-220
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 120SEC 28-TSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SWITCH QUAD SPDT 16TSSOP
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) SIDAC SYM 3CHP 200V 150A MS-013
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 150SEC 28-TSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS Intersil 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) EVALUATION BOARD FOR ISL85001
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 179UH SMD