MPSA12详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN DARL BIPO 20V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):-
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 10µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 10mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
MPSA12详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN SS DARL 20K TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 10µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 10mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
MPSA12_D26Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 20V 1.2A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 10µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 10mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
MPSA12_D27Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 20V 1.2A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 10µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 10mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
MPSA12_D74Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 20V 1.2A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 10µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 10mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
MPSA12_D75Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 20V 1.2A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 10µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 10mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
- 热敏电阻 - NTC Ametherm 0805(2012 公制) THERMISTOR NTC 10K OHM 10% 0805
- 接口 - 信号缓冲器,中继器,分配器 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 IC OSCILLATOR GAIN STG/BUFF 8SON
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS DARL NPN 20V 1.2A TO-92
- 压力 Freescale Semiconductor 8-SMD,侧端口 SENSOR GAUGE PRESS 1.45PSI MAX
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SENSOR OMNIPOLAR HALLEFFECT DGTL
- 二极管,整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-220-3 DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO-220AB
- PMIC - 电机和风扇控制器,驱动器 ON Semiconductor 19-SSIP 成形引线 IC HYBRID MOD DC BRUSH MOTOR DVR
- 逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器 Micrel Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) ID MULTIPLEXER 4:1 DIFF 16-SOIC
- 逻辑 - 变换器 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 IC LVPECL REPETR/TRANSLTR 8-SON
- 压力 Freescale Semiconductor 8-SMD,侧端口 SENSOR GAUGE PRESS 7.25PSI MAX
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SENSOR OMNIPOLAR HALLEFFECT DGTL
- FET - 单 STMicroelectronics PolarPak? MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK
- 二极管,整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 DIODE SCHOTTKY 100V 7.5A DPAK
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Micrel Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRIVER COAXIAL CABLE 8-SOIC
- 评估演示板和套件 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 EVALUATION MODULE FOR SN65LVP20