MPS2222ARL 全国供应商、价格、PDF资料
MPS2222ARL详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
MPS2222ARLG详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
MPS2222ARLG详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:剪切带 (CT)
MPS2222ARLG详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:Digi-Reel®
MPS2222ARLRA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN SS GP 40V TO92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:剪切带 (CT)
MPS2222ARLRAG详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN GP SS 40V TO92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:剪切带 (CT)
- 背板 - 专用 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 34POS 5A
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 按钮 TE Connectivity 径向 SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V
- 固定式 TDK Corporation 1008(2520 公制) INDUCTOR MULTILAYER 4.7UH 1008
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 4.7PF 50V NP0 0603
- 数据采集 - 数模转换器 Maxim Integrated 16-DIP(0.300",7.62mm) IC DAC 13BIT DUAL LP SER 16-DIP
- PMIC - 电压基准 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC VREF SERIES PREC 5V 8-SOIC
- 背板 - 专用 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 34POS 5A
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co SOD-123 DIODE ZENER 500MW 9.1V SOD123
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 4.7PF 50V NP0 0603
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 扁平封装 CAP ALUM 280UF 450V 20% RADIAL
- 数据采集 - 数模转换器 Maxim Integrated 16-DIP(0.300",7.62mm) IC DAC 13BIT DUAL LP SER 16-DIP
- PMIC - 电压基准 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC VREF SERIES BURIED ZNR 8-SOIC
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 10V 500MW SOD-123
- 背板 - 专用 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 34POS 5A