MMBT5088详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100µA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
MMBT5088详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100µA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
MMBT5088详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100µA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT5088LT1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS SS GP NPN 30V LN SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100µA,5V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT5088LT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS GP SS NPN 30V LN SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100µA,5V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
MMBT5088LT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS GP SS NPN 30V LN SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100µA,5V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
- 功率,高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 120V
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盘 IC SUPERVISOR OD 2.192V 16TQFN
- 触摸 APEM Components, LLC SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
- 压力 Honeywell Sensing and Control 圆柱型,金属 SENSOR AMP 5000PSI 4-20MA OUT
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
- PMIC - 电池管理 Freescale Semiconductor 48-VFQFN 裸露焊盘 IC MCU LIN BATT MONITOR 48QFN
- 功率,高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 6V
- 触摸 APEM Components, LLC SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
- PMIC - 电池管理 Maxim Integrated 8-WDFN 裸露焊盘 IC BATTERY BACKUP 1.2V 8TDFN-EP
- 触摸 APEM Components, LLC SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
- PMIC - 电池管理 Maxim Integrated 8-WDFN 裸露焊盘 IC BATTERY BACKUP 1.8V 8TDFN-EP
- 功率,高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 48V
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Beyschlag MELF,0204 RES 1.0K OHM .4W 1% 0204 MELF
- 触摸 APEM Components, LLC SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 150V SOT-23