MMBT4401详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):750mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
MMBT4401详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):750mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT4401详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):750mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
MMBT4401_D87Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS GP NPN 40V 600MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):750mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,1V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
MMBT4401-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 40V 350MW SMD SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):750mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT4401-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 40V 350MW SMD SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):750mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 压力 Honeywell Sensing and Control 圆柱型,金属 TRANS MLH010 BAR S 43650-C G1
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 TRANS DARL PNP 2A 100V TO-225
- 同轴,RF Murata Electronics North America - CONN MW W/SWITCH 2X2 SMD
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated 10-WFDFN 裸露焊盘 IC UP SUPERVISOR LP 10TDFN-EP
- 压力 Honeywell Sensing and Control 圆柱型,金属 MLH ALL METAL PRESS SENSE
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Fairchild Semiconductor 16-DIP(0.300",7.62mm) IC BUFF TRI-ST HEX N-INV 16DIP
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-220-3 TRANSISTOR PNP 60V 10A TO-220
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS GP SS PNP 25V SOT23
- 压力 Honeywell Sensing and Control 圆柱型,金属 SENSOR SEALED GAGE 0-16 BAR
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-225AA,TO-126-3 TRANSISTOR NPN 300V 0.5A SOT-32
- 同轴,RF Murata Electronics North America 16-DIP(0.300",7.62mm) CONN MW COAXIAL WITH SWITCH SMD
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated 10-WFDFN 裸露焊盘 IC UP SUPERVISOR LP 10TDFN-EP
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 功率,高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 24V