MMBT2907详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP GP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
MMBT2907详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP GP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
MMBT2907详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP GP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT2907_D87Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 40V 800MA SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
MMBT2907A详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP -60V -0.6A SOT-23
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT2907A详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR GP PNP AMP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 200 OHM 1/10W 1% 0603
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT 2MM 34POS DL HORZ SMD
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP -60V -0.6A SOT-23
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0402(1005 公制) RES 51.1K OHM 1/16W .1% SMD 0402
- PMIC - 电池管理 Linear Technology 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC BACKUP BATT CNTRLR 5V 16-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 475K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-74A,SOT-753 IC MPU/RESET CIRC 3.60V SOT23-5
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) RES 374 OHM 1/2W 1% 2010 SMD
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT 2MM 34POS DL HORZ SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0402(1005 公制) RES 5.23K OHM 1/16W .1% SMD 0402
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-74A,SOT-753 IC MPU/RESET CIRC 3.80V SOT23-5
- PMIC - 电池管理 Linear Technology 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC BACKUP BATT CONTRLR 5V 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 47.5 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 2010(5025 公制) RES 37.4 OHM 1/2W 1% 2010 SMD
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT 2MM 17POS SGL VERT SMD