MMBT2222ALT 全国供应商、价格、PDF资料
MMBT2222ALT1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS SS GP NPN 40V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT2222ALT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS GP SS NPN 40V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT2222ALT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS GP SS NPN 40V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
MMBT2222ALT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS GP SS NPN 40V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
MMBT2222ALT3G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN GP 40V 600MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
MMBT2222ALT3G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN GP 40V 600MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 电池管理 Maxim Integrated 8-WDFN 裸露焊盘 IC BATT CHRGR LI+ 1CELL 8TDFN
- 逻辑 - 锁销 Fairchild Semiconductor 20-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC LATCH OCTAL D 3STATE 20-SOP
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 40V 350MW SMD SOT23-3
- 固定式 TDK Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR MULTILAYER 36NH 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-220-3 TRANS POWER NPN 8A 120V TO220AB
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK
- 评估板 - 线性稳压器 (LDO) Maxim Integrated 15-WFBGA,WLBGA EVAL KIT MAX15103
- 数据采集 - 模数转换器 Maxim Integrated 48-LQFP IC ADC 14BIT 2CH 900KSPS 48LQFP
- 固定式 TDK Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR MULTILAYER 3.3NH 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-220-3 TRANS PWR NPN 8A 250V TO220AB
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANSISTOR NPN 60V 10A DPAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Maxim Integrated 15-WFBGA,WLBGA IC REG LDO ADJ 3A 15WLP
- 评估板 - 模数转换器 (ADC) Maxim Integrated 24-DIP(0.300",7.62mm) EVAL KIT FOR MAX132