MJD31CT4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):3A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:15W
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
MJD31CT4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):3A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:1.56W
- 频率_转换:3MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
MJD31CT4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):3A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:15W
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
MJD31CT4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):3A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:15W
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
MJD31CT4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):3A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:1.56W
- 频率_转换:3MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
MJD31CT4-A详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):3A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:15W
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA TRANSISTOR NPN 100V 3A IPAK
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 6.2V 350MW SOT-23
- PMIC - 电压基准 Linear Technology 6-WFDFN 裸露焊盘 IC VREF SERIES PREC 4.096V 6-DFN
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-70,SOT-323 IC VOLT DETECTOR LP SC70-3
- 数据采集 - 模数转换器 Linear Technology 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC A/D CONV 12BIT SRL 4CH 16SOIC
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 8-VDFN 裸露焊盘 IC POT DGTL SNGL 50K SPI 8DFN
- PMIC - 监控器 Fujitsu Semiconductor America Inc 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC PWR SUPP MON DUAL WD 8SOP
- PMIC - 热管理 Maxim Integrated 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC TEMP MON 7CH PREC 20TSSOP
- 单二极管/齐纳 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 6.2V 350MW SOT23-3
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-70,SOT-323 IC VOLT DETECTOR LP SC70-3
- 数据采集 - 模数转换器 Linear Technology 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC A/D CONV 12BIT SRL 4CH 16SOIC
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC POT DGTL SNGL 50K SPI 8DIP
- PMIC - 监控器 Fujitsu Semiconductor America Inc 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC PWR VOLT MON WD TIMER 8SOP
- PMIC - 热管理 Maxim Integrated 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC TEMP MONITOR 7CH 16-QSOP
- PMIC - 电压基准 Linear Technology 3-WFDFN 裸露焊盘 IC VREF SERIES PREC 10V 3-DFN