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MJD3055T4G 全国供应商、价格、PDF资料

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MJD3055T4G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):10A
电压_集电极发射极击穿(最大):60V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
电流_集电极截止(最大):50µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:1.75W
频率_转换:2MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:剪切带 (CT)

MJD3055T4G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):10A
电压_集电极发射极击穿(最大):60V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
电流_集电极截止(最大):50µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:1.75W
频率_转换:2MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:Digi-Reel®

MJD3055T4G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):10A
电压_集电极发射极击穿(最大):60V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
电流_集电极截止(最大):50µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:1.75W
频率_转换:2MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:带卷 (TR)

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