MJD2955TF 全国供应商、价格、PDF资料

MJD2955TF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：10A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

电流_集电极截止（最大）：50µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：1.75W

频率_转换：2MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：TO-252-3

包装：带卷 (TR)

MJD2955TF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：10A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

电流_集电极截止（最大）：50µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：1.75W

频率_转换：2MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：TO-252-3

包装：剪切带 (CT)

MJD2955TF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：10A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

电流_集电极截止（最大）：50µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：1.75W

频率_转换：2MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：TO-252-3

包装：Digi-Reel®