MJD200RLG 全国供应商、价格、PDF资料

MJD200RLG详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.8V @ 1A，5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：45 @ 2A，1V

功率_最大：1.4W

频率_转换：65MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：DPAK-3

包装：带卷 (TR)

MJD200RLG详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.8V @ 1A，5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：45 @ 2A，1V

功率_最大：1.4W

频率_转换：65MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：DPAK-3

包装：Digi-Reel®

MJD200RLG详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.8V @ 1A，5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：45 @ 2A，1V

功率_最大：1.4W

频率_转换：65MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：DPAK-3

包装：剪切带 (CT)