MJD127T4详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL PNP 100V 8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：8A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 80mA，8A
- 电流_集电极截止（最大）：10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 4A，4V
- 功率_最大：20W
- 频率_转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
MJD127T4详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：8A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 80mA，8A
- 电流_集电极截止（最大）：10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 4A，4V
- 功率_最大：1.75W
- 频率_转换：4MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：Digi-Reel®
MJD127T4详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL PNP 100V 8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：8A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 80mA，8A
- 电流_集电极截止（最大）：10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 4A，4V
- 功率_最大：20W
- 频率_转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
MJD127T4详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：8A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 80mA，8A
- 电流_集电极截止（最大）：10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 4A，4V
- 功率_最大：1.75W
- 频率_转换：4MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：剪切带 (CT)
MJD127T4详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL PNP 100V 8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：8A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 80mA，8A
- 电流_集电极截止（最大）：10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 4A，4V
- 功率_最大：20W
- 频率_转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
MJD127T4G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：8A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 80mA，8A
- 电流_集电极截止（最大）：10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 4A，4V
- 功率_最大：1.75W
- 频率_转换：4MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：剪切带 (CT)
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT-23
- PMIC - 电压基准 Linear Technology SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 IC VREF SERIES PREC TSOT-23-6
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-74A，SOT-753 IC VOLT DETECTOR LP SOT23-5
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TRANSISTOR NPN DARL 100V 8A DPAK
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC DGTL SNGL 5K SPI 8MSOP
- PMIC - 热管理 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 IC FAN CNTRL/DRVR 8-SOIC
- 桥式整流器 Vishay General Semiconductor TO-269AA，4-BESOP DIODE BRIDGE 0.5A TO-269AA
- 二极管/齐纳阵列 Diodes Inc 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE ZENER DUAL 5.1V SOT-363
- PMIC - 电压基准 Linear Technology SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 IC VREF SERIES PREC TSOT-23-6
- PMIC - 热管理 Maxim Integrated 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC TEMP SENSOR REMOTE 10-UMAX
- RF 评估和开发套件，板 Twin Industries TO-269AA，4-BESOP RF EVAL FOR SOT-143 AMPLIFIERS
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC DGTL SNGL 10K SPI 8MSOP
- PMIC - 电压基准 Linear Technology 6-WFDFN 裸露焊盘 IC VREF SERIES PREC 3V 6-DFN
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-74A，SOT-753 IC VOLT DETECTOR LP SOT23-5
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
0755-83202411 
13410941925 
0755-82561519 
0755-88917652 
15899765957 1 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-23613962 
0755-23915992 
0755-83798683 
0755-82525087 
18026926850/0 
0755-82780082 
0755-83587431 
