MJD117T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
MJD117T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PWR DARL SILICON D-PAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
MJD117T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
MJD117T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PWR DARL SILICON D-PAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
MJD117T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PWR DARL SILICON D-PAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
MJD117T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PWR DARL SILICON D-PAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
- 固定式 TDK Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR MULTILAYER 51NH 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 200PSI 7/16-20UNF .5-4.5V
- 固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR 100UH 1.3A 20% SMD
- 固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR POWER 0.9UH 7.8A SMD
- 二极管,整流器 - 阵列 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE SCHOTTKY DUAL 30MA15V SC88
- 加速计 Freescale Semiconductor 14-VFLGA ACCELEROMETER 3AXIS DGTL 14-LGA
- FET - 阵列 ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN
- 固定式 TDK Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR MULTILAYER 5.1NH 0402
- 固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR POWER 15UH 2.4A SMD
- 固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR 22UH 2.6A 20% SMD
- 二极管,整流器 - 阵列 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE SCHOTTKY DUAL 30MA15V SC88
- 加速计 Freescale Semiconductor 10-VFDFN ACCELEROMETER 3X3 DGTL 10-DFN
- FET - 阵列 ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN
- 固定式 TDK Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR MULTILAYER 6.8NH 0402