MJD112T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
MJD112T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
MJD112T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
MJD112T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
MJD112T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
MJD112T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,4A
- 电流_集电极截止(最大):20µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 2A,3V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- 单二极管/整流器 ON Semiconductor SC-79,SOD-523 DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
- 加速计 Freescale Semiconductor 16-LQFN 裸露焊盘 SENSOR ACCEL 3-AXIS +/-2.5 16QFN
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK
- FET - 单 ON Semiconductor SOT-723 MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-723
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 200PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
- 固定式 TDK Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR MULTILAYER 4.3NH 0402
- 固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR POWER 3.3UH 4.3A SMD
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 6-DIP 模块 CONV DC/DC 6A 48VIN 3.3VOUT SGL
- 单二极管/整流器 ON Semiconductor 2-XFDFN IC DIODE SFC SCHOTTKY 0402 2DSN
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 200PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
- FET - 阵列 ON Semiconductor 6-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN
- 固定式 TDK Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR MULTILAYER 4.3NH 0402
- 固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR POWER 4.7UH 4.0A SMD
- 尖端,喷嘴 OKI/Metcal 6-DIP 模块 NOZZLE QFP.5MM 208PIN 20MIL PTCH
- 单二极管/整流器 ON Semiconductor 2-XFDFN IC DIODE SFC SCHOTTKY 0402 2DSN