MAT14ARZ-R7 全国供应商、价格、PDF资料

MAT14ARZ-R7详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS 4NPN 40V 30MA 14SOIC

系列：-

制造商：Analog Devices Inc

晶体管类型：4 NPN（四）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：60mV @ 100µA，1mA

电流_集电极截止（最大）：3nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：-

频率_转换：300MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：14-SO

包装：带卷 (TR)

MAT14ARZ-R7详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：IC TRANS 4NPN 40V 30MA 14SOIC

系列：-

制造商：Analog Devices Inc

晶体管类型：4 NPN（四）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：60mV @ 100µA，1mA

电流_集电极截止（最大）：3nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：-

频率_转换：300MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：14-SO

包装：Digi-Reel®

MAT14ARZ-R7详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：IC TRANS 4NPN 40V 30MA 14SOIC

系列：-

制造商：Analog Devices Inc

晶体管类型：4 NPN（四）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：60mV @ 100µA，1mA

电流_集电极截止（最大）：3nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：-

频率_转换：300MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：14-SO

包装：剪切带 (CT)