IXFT52N30Q详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：300V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：52A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5300pF @ 25V
- 功率_最大：360W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
- 供应商设备封装：TO-268
- 包装：管件
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 51.0 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OP AMP LO VOLTAGE/PWR 8-MSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 100V 10% RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 4700PF 630VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 6.20M OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 100V 10% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP GP LP RR DUAL 10MSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 910K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
755-83241160（ 
18913062888 
0755-82561519 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-23140719 
171-4729-0036 
0755-83798683 
15026993318 / 
15821228847 / 
010-62962871、 
0755-８２７８９２９６ 
010-62962871、 
0755-22669259 
13910052844（微 
