IXFN100N10S1详细规格
- 类别：FET
- 描述：MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 25V
- 功率_最大：360W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装：SOT-227B
- 包装：管件
IXFN100N10S2详细规格
- 类别：FET
- 描述：MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 25V
- 功率_最大：360W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装：SOT-227B
- 包装：管件
IXFN100N10S3详细规格
- 类别：FET
- 描述：MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 4mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 25V
- 功率_最大：360W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装：SOT-227B
- 包装：管件
IXFN100N20详细规格
- 类别：FET
- 描述：MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 8mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：380nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：9000pF @ 25V
- 功率_最大：520W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装：SOT-227B
- 包装：管件
IXFN100N25详细规格
- 类别：FET
- 描述：MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 8mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：9100pF @ 25V
- 功率_最大：600W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装：SOT-227B
- 包装：管件
IXFN100N50P详细规格
- 类别：FET
- 描述：MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
- 系列：PolarHV™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 8mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：20000pF @ 25V
- 功率_最大：1040W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装：SOT-227B
- 包装：管件
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 144KBIT 15NS 100TQFP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
- 评估演示板和套件 Intersil * EVAL BOARD 2 FOR ISL9519 TQFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BACKPLANE CPU 10 SLOT
- FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 512X18 SYNC 25NS 64QFP
- PMIC - 监控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 1.67V SOT23-3
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 10A 32QFN
- PMIC - 监控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.19V SOT23-3
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 28-DIP（0.300"，7.62mm） IC FIFO 1024X8 SYNC 15NS 28-DIP
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 132-BQFP 缓冲式 IC SRAM 16KBIT 25NS 132QFP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BACKPLANE I/O EXP 4 SLOT
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC XDCP 128-TAP 50KOHM 10-MSOP
- FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
0755-82578309 
13410941925 
0755-83202411 
021-62153656青 
17876146278/1 
0512-82613006 
021-51097965 
19166203057 
13311626995 
18026926850/0 
400-156956323 
0755-82569753 
0755-84507209 
755-88608527（ 
0755-22929859 
