IXDI502SIA 全国供应商、价格、PDF资料

IXDI502SIA详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC GATE DRIVER DUAL 2A 8-SOIC

系列：-

制造商：IXYS

类型：

配置：低端

输入类型：反相

延迟时间：25ns

导通电阻：

电流_峰值：2A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 30 V

工作温度：-55°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：管件

IXDI502SIAT/R详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC

系列：-

制造商：IXYS

类型：

配置：低端

输入类型：反相

延迟时间：25ns

导通电阻：

电流_峰值：2A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 30 V

工作温度：-55°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：带卷 (TR)

IXDI502SIAT/R详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC

系列：-

制造商：IXYS

类型：

配置：低端

输入类型：反相

延迟时间：25ns

导通电阻：

电流_峰值：2A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 30 V

工作温度：-55°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：剪切带 (CT)

IXDI502SIAT/R详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC

系列：-

制造商：IXYS

类型：

配置：低端

输入类型：反相

延迟时间：25ns

导通电阻：

电流_峰值：2A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：4.5 V ~ 30 V

工作温度：-55°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：Digi-Reel®