IRLZ44ZS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫欧 @ 31A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 25V
- 功率_最大：80W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRLZ44ZSPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫欧 @ 31A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 25V
- 功率_最大：80W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRLZ44ZSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫欧 @ 31A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 25V
- 功率_最大：80W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRLZ44ZSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫欧 @ 31A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 25V
- 功率_最大：80W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
IRLZ44ZSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫欧 @ 31A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 25V
- 功率_最大：80W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
IRLZ44ZSTRRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫欧 @ 31A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 25V
- 功率_最大：80W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 配件 Hittite Microwave Corporation POWER CORD FOR HMC RF GENERATOR
- PMIC - 电池管理 Intersil 20-WFQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRGR LIION 1CELL 20TQFN
- 扁平带 3M CABLE 64COND RND SHIELD GRY 5’
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC SWITCH DPDT 10MSOP
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 配件 Honeywell Microelectronics & Precision Sensors MODULE DIGITAL DISPLAY RS232
- PMIC - 电池管理 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC BATT CHRGR LI-ION/POLY 10DFN
- 铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 26 OHM 500MA 1206
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- AC DC 转换器 Emerson Network Power POWER SUPPLY W/2-HELIO 500W RECT
- PMIC - 电池管理 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRGR LIION 1CELL 16TQFN
- 铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 0805（2012 公制） FERRITE CHIP 10 OHM 1.5A 0805
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 20QFN
- 光学 - 光电检测器 - 遥控接收器 Everlight Electronics Co Ltd TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB RECEIVER MOD IR REMOTE
0755-22655674 
0755-82561519 
0755-88291559 
0755-83231869 
010-62962871、 
0755-22655674 
18913062888 
0755-22929859 
0755-82561519 
0755-23919407 
0755-83209630 
0755- 8251939 
15112667855 
0755-89697985 
