IRLR7843TR 全国供应商、价格、PDF资料
IRLR7843TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:161A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4380pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7843TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:161A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4380pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7843TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:161A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4380pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7843TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:161A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4380pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRLR7843TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:161A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4380pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRLR7843TRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:161A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4380pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Murata Electronics North America 1212(3030 公制) INDUCTOR 4.7UH 30% 925MA 1212
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP RRIO .4MHZ QD 14SOIC
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 EVAL BOARD 2 FOR ISL6420B
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OP AMP R-R OUT QUAD 14-SOIC
- 固定式 Murata Electronics North America 1212(3030 公制) INDUCTOR
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP RRIO .4MHZ QD 14SOIC
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 20-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM VM
- 线性 - 比较器 Maxim Integrated SC-74A,SOT-753 IC COMPARATOR GP SGL SOT23-5
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 220PF 200V 5% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP RRIO .4MHZ QD 14SOIC
- 双电层,超级电容器 Panasonic Electronic Components 径向,Can CAP SUPER 10F 2.5V RADIAL
- 固定式 Murata Electronics North America 1212(3030 公制) INDUCTOR 68UH 30% 235MA 1212