

IRLR7821CTRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:65A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1030pF @ 15V
- 功率_最大:75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7821PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:65A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1030pF @ 15V
- 功率_最大:75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR7821TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:65A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1030pF @ 15V
- 功率_最大:75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7821TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:65A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1030pF @ 15V
- 功率_最大:75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRLR7821TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:65A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1030pF @ 15V
- 功率_最大:75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRLR7821TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:65A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1030pF @ 15V
- 功率_最大:75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.22UF 275VAC RADIAL
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 15POS W/SKT CABLE R/A
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
- PMIC - AC-DC 转换器,离线开关 Power Integrations 8-SMD(7 个接脚),鸥形翼 IC OFFLINE SWIT HV 8SMD
- FET - 单 Infineon Technologies * MOSF N CH 60V 34A TO263-7
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC LINEAR
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 21POS BOX MNT SKT
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.85V/3.3V .3A 10-DFN
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 2.2UF 275VAC RADIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
- PMIC - AC-DC 转换器,离线开关 Power Integrations 8-SMD(7 个接脚),鸥形翼 IC OFFLINE SWIT HV 8SMD
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS BOX MNT W/PINS
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX RS485 FAULT PROT 8SOIC
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.27UF 275VAC RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V/2.5V .3A 10-DFN