

IRLR3303详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR3303PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR3303TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR3303TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR3303TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR3303TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 21A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 14SOIC
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Lattice Semiconductor Corporation 672-BBGA IC FPGA 149KLUTS 380I/O 672-BGA
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS .100 EYELET
- 固定式 Murata Electronics North America 1210(3225 公制) INDUCTOR 1.0UH 20% 445MA 1210
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-VDFN 裸露焊盘 IC OPAMP CHOPPER RR .4MHZ 8DFN
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 36-WFQFN 裸露焊盘 IC PLL FREQ SYNTH W/VCO 36-LLP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 3V/3.3V 10-LLP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC OP AMP R-R QUAD LP 14-TSSOP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100POS .100 EXTEND
- 固定式 Murata Electronics North America 1210(3225 公制) INDUCTOR
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 36-WFQFN 裸露焊盘 IC PLL FREQ SYNTH W/VCO 36-LLP
- 评估板 - 运算放大器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) EVAL BOARD 1 FOR ISL28236 SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 3.3V .25A 8-MSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TFSOP (0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 14TVSOP