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IRLR3110ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3980pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRLR3110ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3980pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRLR3110ZTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3980pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

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IRLR3110ZTRPBF 集好芯城 0755-82790892
IRLR3110ZTRPBF 深圳市昭兴微电子有限公司 0755-23991909
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IRLR3110ZTRPBF 艾睿（深圳）半导体有限公司 15813737183
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固定式 Murata Electronics North America 1210（3225 公制） INDUCTOR
LMV822QDGKRQ1
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ DL 8MSOP
LP3996SD-2828/NOPB
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LMX2531LQ1778E/NOPB
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Texas Instruments 36-WFQFN 裸露焊盘 IC PLL FREQ SYNTH W/VCO 36-LLP

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