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IRLR2705详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 28A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRLR2705PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 28A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRLR2705TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 28A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRLR2705TRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 28A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRLR2705TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 28A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRLR2705TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 28A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

HCM25DSEF-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .156 EXTEND
H3BXG-10102-A6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3049A/X 2"
IRLR2705TRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
G79-I200C-175
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE W/2 CONN INPUT 2M
CTX15-3A-R
阵列，信号变压器 Cooper Bussmann INDUCTOR/TRANSFORMER 15UH SMD
GPFM250-15
AC DC 转换器 SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands PWR SPLY MEDICAL PFC 250W 15V
H3BXG-10102-B4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015B/X 2"
IRFI720G
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装，隔离接片 MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP
HCM25DSEN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .156 EYELET
H3BXG-10102-B8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048B/X 2"
CTX15-4-R
阵列，信号变压器 Cooper Bussmann INDUCTOR TOROID DUAL 14.16UH SMD
GPFM250-48
AC DC 转换器 SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands PWR SPLY MEDICAL PFC 250W 48V
H3BXG-10102-L8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048L/X 2"
IRFI740GPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装，隔离接片 MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
HCM25DSEN-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .156 EXTEND

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