IRLR120NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR120NTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR120NTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRLR120NTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRLR120NTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR120NTRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-247-3 IGBT W/DIODE 1200V 45A TO247AC
- 背板 - 专用 FCI METRAL HDR STR PF 4X12
- 配件 Electroswitch - WAFER SWITCH SP-17POS SHORTNG 9A
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.85V/1.85V 10-DFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET FOR E32-T16P
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC LINEAR
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 CONN EDGECARD 98POS .100 R/A PCB
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-274AA IGBT W/DIODE 1200V 78A SUPER-247
- 配件 Electroswitch - WAFER SW 3P-5POS SHORTING
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.85V/2.9V 10-DFN
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC LINEAR
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 CONN EDGECARD 98POS .100 EYELET
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-274AA IGBT W/DIODE 1200V 78A SUPER247