IRLR014TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR014TRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR014TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR014TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR014TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
IRLR014TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 4.6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 120SEC 28-TSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC SWITCH QUAD SPDT 16TSSOP
- 过时/停产零件编号 Terasic Technologies Inc KIT DEV 3.6" DIGITAL PANEL
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS NPN DARL BIPO 100V TO-92
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） SIDAC SYM 3CHP 200V 150A MS-013
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） EVALUATION BOARD FOR ISL85001
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 179UH SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR AMP NPN 300V HV TO-92
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） SIDAC SYM 3CHP 200V 100A MS013
0755-88917652 
19166203057 
0755-84507209 
0755-82542579 
0512-67241533 
075582788161 
13510131896 
0755-83209630 
0755-83663430 
0755- 8251939 
0755-82561519 
0755-18503085 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
