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IRLMS5703TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：1.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）; 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）; 包装：剪切带 (CT)

IRLMS5703TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：1.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）; 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）; 包装：带卷 (TR)

IRLMS5703TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：1.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）; 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）; 包装：剪切带 (CT)

IRLMS5703TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：1.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）; 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）; 包装：Digi-Reel®

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