

IRLML5203GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:98 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
IRLML5203GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:98 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML5203GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:98 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
IRLML5203TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:98 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
IRLML5203TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:98 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
IRLML5203TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:98 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET BRIDGE DC FOR P2RF
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-DIP(0.600",15.24mm) IC VOICE REC/PLAY 10-SEC 28-PDIP
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
- 配件 Terasic Technologies Inc 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) KIT DEV 4.3" LCD TOUCH PANEL
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX RS485/422 5V ESD 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
- 电池组 Panasonic - BSG 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) BATTERY PACK 7.2V 2300 MAH NICAD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET BRIDGE AC FOR P2RF
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS DARL NPN 30V 1.2A TO-92
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX RS-485/422 ESD 8-SOIC
- 共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 水平式,4 PC 板 CHOKE COM MODE 0.59MH 5.60A SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
- 电池组 Panasonic - BSG 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) BATTERY PACK 6.0V 2300 MAH NICAD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET BRIDGE AC FOR P2RF
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS NPN DARL SS 30V TO92