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IRLML2803TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 910mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：85pF @ 25V; 功率_最大：540mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：剪切带 (CT)

IRLML2803TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 910mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：85pF @ 25V; 功率_最大：540mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：带卷 (TR)

IRLML2803TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 910mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：85pF @ 25V; 功率_最大：540mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：Digi-Reel®

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IRLML2803TRPBF 深圳市成源运利电子科技有限公司 0755-15913992
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LMV981MF
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OP AMP RRIO SNGL 1.8V SOT23-6
EEC40DRES-S13
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LQG15HN56NJ02D
固定式 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） INDUCTOR 56NH 200MA 0402

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