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IRLML2060TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫欧 @ 1.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.67nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：64pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：剪切带 (CT)

IRLML2060TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫欧 @ 1.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.67nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：64pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：带卷 (TR)

IRLML2060TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫欧 @ 1.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.67nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：64pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23; 包装：Digi-Reel®

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固定式 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） INDUCTOR

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