

IRLML0030TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 5.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:382pF @ 15V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
IRLML0030TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 5.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:382pF @ 15V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
IRLML0030TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 5.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:382pF @ 15V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML0040TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:56 毫欧 @ 3.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:266pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
IRLML0040TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:56 毫欧 @ 3.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:266pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
IRLML0040TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:56 毫欧 @ 3.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:266pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
- PMIC - 监控器 Intersil TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.63V SOT23-3
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 长体成型引线 TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92
- 绕线器 - 配件 OK Industries/Div of Jonard Ind Corp DO-201AD,轴向 ACCY SLEEVE FOR WW GUN 26AWG
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1500PSIS 7/16 UNF 5V
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)成形引线 SIDACTOR MC BI 65V 400A TO-92
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 4-8MN 28-SOIC
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 长体 TRANS PNP SS 1W 300V TO92
- 叶片型电源 Cinch Connectors DO-201AD,轴向 CONN PLUG 3POS TIN SOLDER
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc DO-214AA,SMB SIDAC HI SURGE BI 65V 800A DO214
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PL 8-16MN EX 28TSOP
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 长体成型引线 TRANS PNP GP BIPO 1W 300V TO-92
- 嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor IC MPU 1.5GHZ 1295FCPBGA
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 1500PSIS 3/8 UNF 5V
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3