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IRLL024NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：管件

IRLL024NTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：带卷 (TR)

IRLL024NTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：剪切带 (CT)

IRLL024NTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：Digi-Reel®

IRLL024Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 5A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：管件

IRLL024ZPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 5A SOT-223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：管件

HM1L41ADP000H6PLF
背板 - 专用 FCI METRAL HDR RA PF 4X6
GRM216R71H103KA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 10% X7R 0805
IRLL024NTRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
FZ4-H650-10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HG STD. BOX 4-CAM.NPN
D38999/20FE6AN
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 6POS PIN
K182K15C0GF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1800PF 50V 10% RADIAL
HDO4K-LINBUS TD
配件 Teledyne LeCroy LIN TRIGGER DECODE OPTION
HM1L41DAP000H6PLF
背板 - 专用 FCI METRAL HDR RA STB 4X6
GRM216R71H103MA01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 0805
D38999/20FE6HB
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 6POS FLANGE W/PINS
FZ4-H650-10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HG STD. BOX 4-CAM.NPN
HDO4K-LINBUS TD
配件 Teledyne LeCroy LIN TRIGGER DECODE OPTION
K182K15X7RF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1800PF 50V X7R RADIAL
HM1L41DBP000H6PLF
背板 - 专用 FCI METRAL HDR RA STB 4X6
GRM216R71H223KA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0805

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