IRL640详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL640A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 9A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1705pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220
- 包装：管件
IRL640L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 17A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262-3
- 包装：管件
IRL640PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL640S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL640SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC CTRLR DDR DRAM, SDRAM 28QSOP
- 专用型 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER MODULE IEC 8-SMD
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 1-2MN 28-TSOP
- 近程 Omron Electronics Inc-IA Div - SENSOR PHOTO TB PNP 18M METAL
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TUBE FIBR PROTECTN ARMR FLEX .5M
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER 10MBD 8-SMD GW
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC CTRLR DDR DRAM, SDRAM 28QSOP
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC VOICE REC/PLAY 1-2MN 28-SOIC
- 连接器，互连器件 Switchcraft Inc. - CONN RCPT 3POS FEMALE GOLD SLD
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TUBE FIBR PROTECTN ARMOR FLEX 1M
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER 12MBD 8-SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 28-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 28-QFN
0755-82561519 
0755-82569753 
0755-22655674 
19166203057 
0755-83051566 
0755-84507209 
0755-82542579 
0512-67241533 
010-62962871、 
13681678667 
13510131896 
0755-88917652 
