IRL540详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 17A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL540A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 28A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 14A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 25V
- 功率_最大：121W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220
- 包装：管件
IRL540L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 17A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262-3
- 包装：管件
IRL540NL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRL540NLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRL540NPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3V .15A SOT-23-5
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DGTL POT 4CH 50K 20TSSOP
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 28A TO-220
- 薄膜 Nichicon 径向 CAP FILM 7UF 250VAC RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC AMP PREC SGL LO PWR SOT23-5
- 数据采集 - 触摸屏控制器 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-VFQFN 裸露焊盘 IC SENSOR TCH PURETOUCH 28VFQFPN
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DGTL POT 4CH 10K 20TSSOP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 4.7V .15A SOT-23-5
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC OPAMP GP R-R 5MHZ SGL SC70-6
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC AMP PREC DUAL LO PWR 8MSOP
- 薄膜 Nichicon 矩形接线盒 CAP FILM 8UF 250VAC QC TERM
- 数据采集 - 触摸屏控制器 IDT, Integrated Device Technology Inc 40-VFQFN 裸露焊盘 IC SENSOR TCH PURETOUCH 40VFQFPN
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DGTL POT 4CH 10K 20TSSOP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 4.7V .15A SOT-23-5
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 IC OPAMP R-R I/O LP SOT23-6
0755-22655674 
0755-83202411 
0755-22929859 
13410941925 
0755-82561519 
18823461028 
13510131896 
0755-83663430 
0755-88917652 
0755-82524712 
0755-88291559 
075584505750 
0755-82522939 
755-83252273 
0755-83051566 
