IRL3103D1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 34A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL3103D1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 34A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL3103D1S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 34A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL3103D1SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 34A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL3103D1STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 34A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRL3103D1STRLP详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 34A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 680K OHM 8 RES 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.87 OHM 1W 1% 2512 SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 10000UH .16A SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 200K OHM 1W 5% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 82 OHM 8 RES 1206
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 12000UH .14A SMD
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 24A SO-8
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 200 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 82K OHM 8 RES 1206
755-83241160（ 
0755-82542579 
18913062888 
13510131896 
0755-83663430 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-82569753 
0755-83268779 
0755-82574045 
0755-83247290 
171-4729-9698 
19166203057 
