IRL1104详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 62A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3445pF @ 25V
- 功率_最大:167W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL1104L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 104A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 62A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3445pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL1104LPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 104A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 62A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3445pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL1104PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 62A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3445pF @ 25V
- 功率_最大:167W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL1104S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 62A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3445pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL1104SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:104A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 62A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3445pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 6.1PF 100V NP0 0603
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 8NS 44SOJ
- 配件 Cypress Semiconductor Corp PSOC PROGRAM BOARD MCU 48-SSOP
- TVS - 其它复合 IXYS 径向 IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1800V
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 4PF 50V R2H 0603
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT 50A 600V TO-247
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ
- TVS - 其它复合 IXYS 径向 IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2200V
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 4.7PF 50V R2H 0603
- 过时/停产零件编号 Cypress Semiconductor Corp PSOC PROGRAM BOARD MCU 44-TQFP
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT 50A 600V TO-247