IRL1004详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:130A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 78A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5330pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL1004L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:130A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 78A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5330pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL1004LPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:130A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 78A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5330pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL1004PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:130A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 78A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5330pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL1004S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:130A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 78A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5330pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL1004SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:130A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 78A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5330pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS DIP .100 SLD
- 振荡器 AVX Corp/Kyocera Corp - OSCILLATOR 32.768KHZ 3.3V SMD
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK(3 + 4) SCR CC 2SCR 1600V 40A ADD-A-PAK
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1500PF 100V X7R RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 3300PF 1.6KVDC RADIAL
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC DGTL POT QUAD 10K 20QFN
- 布线管,配线管道 Panduit Corp RACEWAY 1CHAN MD AD WH(8=8’)
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 10000PF 50V Y5V RADIAL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .100 EYELET
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1500PF 200V X7R RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.033UF 1.6KVDC RADIAL
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC DGTL POT QUAD 10K 20QFN
- 配件 Red Lion Controls PANEL METER PLUG FOR LD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 10000PF 50V Y5V RADIAL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS R/A .100 SLD