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IRFZ46L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：50V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 32A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFZ46NL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 53A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：53A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRFZ46NLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 53A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：53A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRFZ46NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：53A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ46NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：53A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFZ46NSTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：53A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRLR8103TRR
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
FQA44N10
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P
IRFZ44ZPBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
CY7C2263KV18-450BZXI
存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 2MX18 1.8V SYNC 165-FBGA
FWX-1000AH
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 盒，非标准 FUSE 1000A 250V
IRF7389PBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
JRC25WRC(71)
圆形 - 配件 Hirose Electric Co Ltd JR 25 SERIES DUST CAP W/O CHAIN
IRLR8103VTRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
HFBR-RUS500
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 500M
CY7C2265KV18-550BZXC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 36MBIT 550MHZ 165FBGA
FWX-1200AH
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 盒，非标准 FUSE 1200A 250V
JRW040A0A1-P
DC DC Converters GE 9-DIP 模块，1/2 砖 CONVERTER DC/DC 5V 200W OUT T/H
IRF7389TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
IRLR8103VTRR
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
HFBR-RUS500
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 500M

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