

IRFZ44S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRFZ44SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRFZ44STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRFZ44STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRFZ44STRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRFZ44STRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 28-VQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR FLYBACK PWM 28-QFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CONN THIN FIBER ATTACH 2.2MM DIA
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 数字隔离器 Avago Technologies US Inc. 8-DIP(0.300",7.62mm) ISOLATOR DGTL 2CH BIDIR 8-DIP
- FET - 单 International Rectifier TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
- 配件 NKK Switches 模块 BOARD LOGIC IS15ABCP4CF & AT548
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块,预接线 T-BEAM RCVR ONLY FET 600V CABLE
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP 220MHZ UNITY-GAIN 8SOIC
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR MULTIPHASE VRM10 32-QFN
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鸥翼型 OPTOCOUPLER 1CH 0.6A 8-SMD GW
- FET - 单 International Rectifier TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
- 配件 NKK Switches 模块 BOARD LOGIC IS15ABCP4CF & AT548
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块,预接线 T-BEAM 25M RELAY TMR 600V CABLE
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP UNITY-GAIN 220MHZ 8SOIC
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 20-VQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM 20-QFN