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IRFZ44NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRFZ44NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRFZ44NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRFZ44NSTRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRFZ44NSTRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

E39-L44
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET REAR MNT VERT FOR E3V3
HM17-855331LF
固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
IRFZ44ES
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
E3Z-T61A
光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENSOR PHOTOELECTRIC 10M
IRF1902GPBF
其它 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
ISL32173EIVZ
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC RCVR RS485/422 QD ESD 16TSSOP
ISL9000IRBCZ-T
PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.5V/1.8V .3A 10-DFN
IRLB8748PBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
E39-L48
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3XR
IRF2804PBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
E3Z-T61AH 2M
光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENSOR PHOTOELECTRIC 10M
ISL32175EIVZ-T
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC RCVR RS485/422 QD ESD 16TSSOP
E39-L48
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3XR
ISL9000IRFDZ
PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.5V/2V .3A 10-DFN
IRLD024PBF
FET - 单 Vishay Siliconix 4-DIP（0.300"，7.62mm） MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

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