IRFZ34NSPBF 全国供应商、价格、PDF资料
IRFZ34NSPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:29A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- 接口 - I/O 扩展器 Intersil 44-QFP IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 180NH 20% 1812
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6G 50X10X0.8MM W/ADH
- 风扇 - 配件 EBM-Papst Industries Inc 8-DIP 模块,1/4 砖 INLET RING F/RH40M IMPELLER SER
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- 风扇 - 配件 EBM-Papst Industries Inc 8-DIP 模块,1/4 砖 INLET RING F/RH50M IMPELLER SER
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X3MM W/ADH
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 270NH 20% 1812