IRFZ30详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 25V
- 功率_最大:75W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRFZ30PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 25V
- 功率_最大:75W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.33UF 50V 10% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1200PF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 100V 20% RADIAL
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC VOICE REC/PL 8-16MN IN 28SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 33PF 50V 5% RADIAL
- 套管 - 音频 Switchcraft Inc. TO-220-3 PATCHCORD 1/4" YELLOW 7FT
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 2000PF 1.25KVDC RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 200V 20% RADIAL
- 评估演示板和套件 Nuvoton Technology Corporation of America BOARD DEMO FOR ISD1760
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 33PF 50V 5% RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD IC REG LDO 8.5V .5A PPAK
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 2000PF 1.25KVDC RADIAL
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK