IRFU120详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:360pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:TO-251AA
- 包装:管件
IRFU1205详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 26A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
IRFU1205PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 26A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
IRFU120ATU详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 4.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
IRFU120NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:210 毫欧 @ 5.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
- 功率_最大:48W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
IRFU120PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:360pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:TO-251AA
- 包装:管件
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 36-WFBGA IC AUDIO SUBSYSTEM 1W AB 36USMD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 400VDC RADIAL
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC DGTL POT 256POS 10K 10MSOP
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
- 配件 APM Hexseal SC-74,SOT-457 BOOT FULL TOG 1/2-32 GRAY RFI
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC REG BUCK ADJ 1.5A 6LLP
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 42-WFBGA IC AUDIO SUBSYSTEM 1.1W D 42USMD
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 100K 1CH 10UTQFN
- 配件 APM Hexseal SC-74,SOT-457 BOOT FULL TOG 1/2-32 GRAY RFI
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC REG BUCK ADJ 1.5A 6LLP
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 36-WFBGA IC AUD SUBSYSTM 1.25MW 36USMD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 400VDC RADIAL
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 1CH 50K 10UTQFN
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK