IRFS52N15D的供应信息|PDF资料|求购IRFS52N15D上51电子网

IRFS52N15DPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：51A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2770pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFS52N15DTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2770pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRFS52N15DTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2770pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRFS52N15DTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2770pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRFS52N15DTRRP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 36A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2770pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

H4BXT-10102-S1-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3047S/X 2"
H48-6G-320-320-0.5-1A
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 320X320X0.5MM W/ADH
IRFS52N15DPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
ISL6884IAZ
PMIC - 显示器驱动器 Intersil 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC CTRLR CCFL BRIGHTNESS 20-SSOP
H48-6G-320-320-2.0-1A
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 320X320X2MM W/ADH
IRSF3010
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 International Rectifier TO-220-3 IC FET SMART SW 50V 11A TO-220AB
GRM0335C1E1R1CA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1.1PF 25V NP0 0201
H6MMS-2036G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM20S/AE20G/HDM20S
H4BXT-10102-S8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048S/X 2"
ISL76627ABZ-T
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OP AMP 10MHZ LN 8SOIC
H48-6G-640-320-3.0-0
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X3MM
IRSLIDER2EK
评估板 - 传感器 Silicon Laboratories Inc TO-261-4，TO-261AA BOARD EVAL IR SLIDER SI1142
GRM0335C1E1R1CA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1.1PF 25V NP0 0201
H6MMS-2636M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26M/HDM26S
H4BXT-10103-A8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048A/X 3"

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