IRFS31N20D 全国供应商、价格、PDF资料
IRFS31N20DPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:107nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2370pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRFS31N20DTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2370pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRFS31N20DTRLP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2370pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRFS31N20DTRLP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2370pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
IRFS31N20DTRLP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2370pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
IRFS31N20DTRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2370pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRIVER HI/LO SIDE DUAL 16SOIC
- 配件 Bivar Inc LED COUPLING BAR MOLDED NYL BLK
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRVR DUAL SYNC BUCK 14-SOIC
- 配件 Bivar Inc LED COUPLING BAR MOLDED NYL BLK
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3047S/H9992TR 6"
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRIVER HI/LO SIDE DUAL 16SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005(0402 公制) CAP CER 8.2PF 16V NP0 01005
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HPL14H/AE14G/HPL14H
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005(0402 公制) CAP CER 9.1PF 16V NP0 01005
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048S/H9992TR 6"
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065S/X 2"
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK